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圆片瓷介电容
作者:广州盛中电子有限公司  日期:2012-8-3  阅读:888次

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一、外形尺寸  Dimensions

二、次要范例的产物  Main Product

1、CC1型高压温度抵偿型瓷介电容   

   消耗低、容量稳定性高,电容量变革与温度呈线性干系。多种温度系数,适用于谐振回路及温度抵偿效应的电路。

   利用温度范畴-25℃~+85℃   Operating Temperature Range: -25℃~+85℃.

2、CT1〈高压高介电质常数电容〉系列瓷介电容器:

    具有多种温度级别。适用于作旁路或耦合、低频消耗和电容量不变机能要求不高的振频电路中。

    利用温度范畴-25℃~+85℃(Z5U和Z5V为+10 ℃ ~+85 ℃ )。

3、CS1〈半导体介质电容器〉系列瓷介电容器:

    高容量、体积小。适用于绝缘电阻低的阻抗电路中。

    利用温度范畴-25℃~+85℃   

4、CT81〈高压高介电质常数电容〉系列瓷介电容器:

   具有多种温度级别。适用于作高压旁路或耦合电路中。

   利用温度范畴-25℃~+85℃ (Z5U和Z5V为+10 ℃ ~+85 ℃ )。  

5、 CC81〈高压温度抵偿型电容〉系列瓷介电容器:

   消耗低、容量稳定性高,适用于脉动电路 、谐振回路及温度抵偿效应的电路。

   利用温度范畴-25℃~+85℃    Operating temperature range -25℃~+85℃

6、CT7〈交换电容〉系列瓷介电容器:

   适用于电子设备的跨电源线毗连、旁路、天线耦合及开关浪涌抑制器等。   

   利用温度范畴-25℃~+85℃   

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